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Estudio de las películas de paladio como barreras de difusión para contactos ohmicos en semiconductores III-V
M. Galván-Arellano; I. Kudriavtsev; G. Romero-Paredes; R. Peña-Sierra; J. Díaz-Reyes;
Superficies y vacío 2005 18 (3)
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TY  - JOUR
ID  - 94218304
TI  - Estudio de las películas de paladio como barreras de difusión para contactos ohmicos en semiconductores III-V
AU  - Galván-Arellano, M.
AU  - Kudriavtsev, I.
AU  - Romero-Paredes, G.
AU  - Peña-Sierra, R.
AU  - Díaz-Reyes, J.
KW  - SIMS KW  - AFM KW  - Contactos ohmicos KW  - Paladio KW  - Barreras de difusión KW  - Semiconductores III-V KW  - GaAs KW  - GaSb. KW  - SIMS; AFM; Ohmics contacts KW  - Paladium KW  - Diffusion barrier ; Semiconductors III-V; GaAs; GaSb
RP  - IN FILE
SP  - 13
EP  - 16
T2  - Superficies y vacío
VL  - 18
IS  - 3
LA - Español
PY  - 2005
Y1  - 2005
Y2  - 2019/5/25
SN  - 1665-3521
UR  - https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94218304
AB  - Se reporta el desarrollo de una metodología para formar contactos ohmicos en GaSb y GaAs con barrera de difusión de paladio. Se presentan resultados del estudio de las superficies semiconductoras durante la fase de limpieza, y previo al depósito de las aleaciones metálicas de contacto. Se describe la metodología para depositar películas de Pd sobre GaSb y GaAs. Se demuestra la acción de las películas...
DB  - Redalyc
ER  -
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Versión 3.0 | 2018
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